封接玻璃按封接是的烧结稳固分类

由于在多数情况下封接元件内部某些部件或材料不允许高温操作，尤其芯片、集成电路、各 类半导体器件、传感器件性能对工艺温度十分敏感，要求包封温度越低越好。一般认为玻璃封接 使用温度低温很限为300°C，低于该温度的用树脂密封，但是树脂密封器件存在封接强度低、易 老化造成慢性漏气导致器件失效、抗酸碱盐雾性能差等缺陷。因此，封接玻璃在其他性能满足要 求的前提下，封接温度越低越好。所以封接玻璃通常采用低熔玻璃。

(1) 封接温度高于580°C的低熔玻璃一般以钠钙硅、硼硅酸盐玻璃为主，也有低铅含量玻 璃。这类玻璃由于封接温度高，具有很好的化学稳定性和机械强度，但应用面较小。

(2) 封接温度介于500〜580°C的低熔玻璃以PbCHB₂0₃系玻璃为主，可加入组分很多， 如 Pb0-B₂0₃-Si0₂-R₂0 (R=Li、Na、K)、PbOaCVAhCVSiC^ (-F₂)、PbO-B₂0₃-Si0₂-Zn0, Pb0-B₂0₃-Si0₂-R0 (R=Ca、Ba、Sr)等。

(3) 封接温度介于400〜500°C的低熔玻璃同样以Pb0-B₂0₃系玻璃为主，但PbO含量一般 大于70% (质量分数）。除了高铅含量外，还常加入少量Bi₂0₃、ZnO, BaO、Sn0₂、V₂()_s、 La₂0₃、Sb₂0₃、F₂ 等组分。

(4) 封接温度介于350〜400°C的低熔玻璃这类玻璃有改性Pb0~B₂0₃系玻璃、磷酸盐玻

璃、钒酸盐玻璃。改性的PbOB₂O₃系玻璃中除加人高铅含量外，通常还加入剧毒和昂贵的

T1₂0、Te0₂ SPbF₂或HgO等具有强烈降低烧结温度的原料。加人含F原料由于在真空中释放

的F易于毒化灯丝和导致器件击穿，应用领域有限制。磷酸盐玻璃主要用于热膨胀系数高于 iioxio—mct¹的场合。钒酸盐玻璃以V₂()₅-P₂0₅、V₂0₅-Te0₂等系玻璃为主，加入P₂0₅和丁 1₂0

降低烧结温度，是400°C以下气密性封接很主要的材料，但易于在烧结时产生气泡等。这些玻璃 大都用于1C等半导体芯片的外壳气密性密封。降低黏结温度，减少对芯片的热损伤，是这一系 列玻璃的主要.目标，从20世纪50年代到很近，在此领域的专利不断出现。日本专利特公平1- 138150报道了一种烧结温度为380°C的PbOBi₂0₃-Te0₂-F封接玻璃。

(5) 封接温度在350°C以下的低熔玻璃美国USP4743302提出一种在320°C短时间密封半导 体器件外壳的PbO>V₂O_s-BI_2O3-ZnO玻璃。美国USP5336644提出一种用于在350〜300°C密封芯 片陶瓷外壳的丁l₂(>V₂0₅-T_e()₂-A_S20₃玻璃。日本电气硝子专利USP 5116786报道了一种软化点 为 320°C 的 Pb()-V₂0₅-Te0₂ 系玻璃。另一类 V₂O₅ 系玻璃，如 Ag₂ O-Te0₂-V₂ 0₅、Pb0-P₂0₅-

V₂O₅、T1₂O-P₂0₅-V₂0₅制成的银浆有更低的烧结温度。这类玻璃很易析晶，化学稳定性很差， 通常要求严格的工艺制度、丰富的经验以及干燥的器件使用环境来保证制备器件的质量。